CP327V分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CP327V |
| 参数属性 | CP327V 封装/外壳为模具；包装为带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 40V 0.3A DIE |
| 功能描述 | Small Signal Transistor NPN - Silicon Darlington Transistor Chip |
| 封装外壳 | 模具 |
| 文件大小 |
653.53 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | CENTRAL |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 18:28:00 |
| 人工找货 | CP327V价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
CP327V规格书详情
CP327V属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美国中央半导体制造生产的CP327V晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
PROCESS DETAILS
Process EPITAXIAL PLANAR
Die Size 23 x 23 MILS
Die Thickness 7.1 MILS
Base Bonding Pad Area 4.7 x 4.7 MILS
Emitter Bonding Pad Area 4.7 x 4.7 MILS
Top Side Metalization Al-Si - 30,000Å
Back Side Metalization Au - 12,000Å
产品属性
更多- 产品编号：
CP327V-2N5308-WN
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.4V @ 200µA，200mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
7000 @ 2mA，5V
- 频率 - 跃迁：
60MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 描述：
TRANS NPN DARL 40V 0.3A DIE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
13+ |
QFP |
74 |
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询价 | ||
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