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EXB851	文件：303.45 Kbytes Page：12 Pages	IGBT-DrivingHybridICs	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FSF851D	文件：2.52124 Mbytes Page：10 Pages	5-PHASESTEPPINGSYSTEMS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSF851S	文件：2.52124 Mbytes Page：10 Pages	5-PHASESTEPPINGSYSTEMS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSF851S-XB	文件：2.52124 Mbytes Page：10 Pages	5-PHASESTEPPINGSYSTEMS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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FX851	文件：139.13 Kbytes Page：4 Pages	DC-DCConverterApplications Features •CompositetypecomposedofalowON-resistancePchannelMOSFETforultrahigh-speedswitchingandlow-voltagedrivingandafast-recovery,lowforward-voltageSchottkybarrierdiode.Facilitateshigh-densitymounting. •TheFX851isformedwith2chips,onebeingequivalenttothe2SJ1	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FZT851	文件：53.38 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTORS FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)44mΩat5A 6Ampscontinuouscurrent,upto20Ampspeakcurrent Verylowsaturationvoltages ExcellenthFEcharacteristicsspecifiedupto10Amps	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT851	文件：38.71 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrent(HighPerformance)Transistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=6A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=60V ●ComplementarytoFZT951	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT851	文件：64.9 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT Features •BVCEO>60V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
CP-AD851
功能描述：
射频适配器 - 系列之内 N BULKHEAD JACK/JACK
RoHS：
否
制造商：
Amphenol Connex
射频系列：
SMA
侧1性别：
Jack(Female)
侧1极性：
Normal
侧2性别：
Jack(Female)
侧2极性：
Normal
阻抗：
50 Ohms
主体类型：
Bulkhead
适配器类型：
Straight
频率范围：
DC to 18 GHz
触点电镀：
Gold
外壳电镀：
Gold
主体材料：
Brass

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