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EXB851	文件：303.45 Kbytes Page：12 Pages	IGBT-Driving Hybrid ICs	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FSF851D	文件：2.52124 Mbytes Page：10 Pages	5-PHASESTEPPINGSYSTEMS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FSF851S	文件：2.52124 Mbytes Page：10 Pages	5-PHASESTEPPINGSYSTEMS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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FX851	文件：139.13 Kbytes Page：4 Pages	DC-DCConverterApplications Features •CompositetypecomposedofalowON-resistancePchannelMOSFETforultrahigh-speedswitchingandlow-voltagedrivingandafast-recovery,lowforward-voltageSchottkybarrierdiode.Facilitateshigh-densitymounting. •TheFX851isformedwith2chips,onebeingequivalenttothe2SJ1	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FZT851	文件：53.38 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTORS FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)44mΩat5A 6Ampscontinuouscurrent,upto20Ampspeakcurrent Verylowsaturationvoltages ExcellenthFEcharacteristicsspecifiedupto10Amps	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FZT851	文件：38.71 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrent(HighPerformance)Transistor ■Features ●CollectorCurrentCapabilityIC=6A ●CollectorEmitterVoltageVCEO=60V ●ComplementarytoFZT951	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT851	文件：64.9 Kbytes Page：3 Pages	SOT223NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT Features •BVCEO>60V •IC=6AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=20APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
EXB851
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
IGBT-Driving Hybrid ICs

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多EXB851供应商更新时间2025-5-29 16:53:00

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