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COM331-B

COM Express Carrier Board

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DFI

友通资讯

CP331

NPN - High Voltage Darlington Transistor Chip

PROCESS DETAILS Die Size 39.4 x 39.4 MILS Die Thickness 9.1 MILS Base Bonding Pad Area 7.9 x 7.9 MILS Emitter Bonding Pad Area 7.9 x 7.9 MILS Top Side Metalization Al-Si - 30,000Å Back Side Metalization Au-As - 18,000Å

文件:719.12 Kbytes 页数:2 Pages

Central

CP-331-K

Coils and Chokes for general use

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PREMO

普莱默

CR331

GERMANIUM PNP TRANSISTORS

文件:2.44311 Mbytes 页数:6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

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更多COM331-B供应商 更新时间2025-10-13 10:03:00