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HY1804B	文件：916.81 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1804D	文件：1.50495 Mbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1804D	文件：883.75 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 40V/80A, RDS(ON)=4.0m2(typ.)@VGs=10V AvalancheRated ReliableandRugged LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant)	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY1804P	文件：916.81 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1804S	文件：883.75 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 40V/80A, RDS(ON)=4.0m2(typ.)@VGs=10V AvalancheRated ReliableandRugged LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant)	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY1804U	文件：1.50495 Mbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1804U	文件：883.75 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 40V/80A, RDS(ON)=4.0m2(typ.)@VGs=10V AvalancheRated ReliableandRugged LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant)	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
KTC1804	文件：407.74 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowCollectorEmitterSaturationVoltage. :VCE(sat)=0.4V(Max.)(IC=4A) •HighCurrentandHighfT :IC=8A,fT=180MHz. •ExcellentLinearityofhFE •HighSpeedSwitchingTime. :fT=20nS(Typ.) •ComplementarytoKTA1204D/L APPLICAT	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC1804D	文件：407.74 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING) HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowCollectorEmitterSaturationVoltage. :VCE(sat)=0.4V(Max.)(IC=4A) •HighCurrentandHighfT :IC=8A,fT=180MHz. •ExcellentLinearityofhFE •HighSpeedSwitchingTime. :fT=20nS(Typ.) •ComplementarytoKTA1204D/L APPLICAT	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC1804D	文件：282.63 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=0.4V(Max)@IC=4A APPLICATIONS ·Designedforlowpoweraudioamplifierandlow-current, high-speedswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
CMY1804-O
制造商：
CANOPUS
制造商全称：
CANOPUS
功能描述：
Mylar Speaker

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	CMY200	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CMY200	KEJIAXIN	23+	SOT-363	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CMY200	KEJIAXIN	24+	NA/	6250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	CMY200	KEJIAXIN	25+	SOT-363	3000	原装正品,假一罚十!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	CMY200	VTI	24+	BGA-8	18766	公司现货库存,支持实单	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CMY201	INFINEON	23+	SOT-163	8000	只做原装现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	CMY201	INFINEON	23+	SOT-163	7000		询价
深圳市一线半导体有限公司	CMY210	INFINEON	24+	SOT-163SOT-23-6	6794	新进库存/原装	询价
深圳市富诚威科技有限公司	CMY210	TRIQUINT	24+	SOT23-6	3600	绝对原装!现货热卖!	询价
深圳市恒创达实业有限公司	CMY210	ST	17+	SOT-163	6200	100%原装正品现货	询价

更多CMY1804-O供应商更新时间2025-5-29 10:10:00

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