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DMBT3906	文件：228.21 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	DCCOM Dc Components	DCCOM
DMMT3906	文件：92.21 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IntrinsicallyMatchedPNPPair(Note1) •SmallSurfaceMountPackage •2hFEMatchedTolerance •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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DMMT3906	文件：130.69 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IntrinsicallyMatchedPNPPair(Note1) •SmallSurfaceMountPackage •2hFEMatchedTolerance •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT3906	文件：146.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSmallSignalTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-smallsurfacemountpackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DMMT3906	文件：236.75 Kbytes Page：4 Pages	PNPSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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DMMT3906W	文件：67.61 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-40V •IC=-200mAHighCollectorCurrent •PairofPNPTransistorsThatAreIntrinsicallyMatched(Note1) •2MatchingonCurrentGain(hFE) •2mVMatchingonBase-EmitterVoltage(VBE) •FullyInternallyIsolatedinaSmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&am	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT3906W	文件：161.88 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
CMXT3906
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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