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CMUDW6001	文件：546.98 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT ULTRA LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE 75V,250mAUltraLowLeakageSwitchingDiodeintheSOT-523Wpackage CentralSemiconductor’sCMUDW6001isa75V,250mAultralowleakagediodepackagedintheSOT-523Wsurfacemountcase.TheSOT-523Wwasdesignedwithgull-wingleadsasanalternativetotheflatleadsoftheSOT-523package.Th	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUDW6001	文件：1.78737 Mbytes Page：2 Pages	75V, 250mA Ultra Low Leakage Switching Diode in the SOT-523W package	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUDW6001_15	文件：546.98 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT ULTRA LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUDW6001 TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SURFACE MOUNT DIODE-ULTRA LOW LE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMXD6001	文件：114.4 Kbytes Page：2 Pages	SUPERmini.TRIPLEISOLATEDSURFACEMOUNTLOWLEAKAGESWITCHINGDIODE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMXD6001typecontainsthree(3)IsolatedSiliconSwitchingDiodes,manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinaSUPERmini™surfacemountpackage,designedforswitchingapplicationsrequiringextremelylowleakage.MarkingcodeisX01.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPH6001	文件：47.23 Kbytes Page：6 Pages	High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz). •Highcutofffrequency:fT=6.7GHztyp. •Smallandslim6-pinpackage. •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax).	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6001A	文件：58.13 Kbytes Page：6 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp •Smallandslim6-pinpackage •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6001A	文件：487.63 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp •Smallandslim6-pinpackage •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CPH6001A	文件：495.65 Kbytes Page：8 Pages	High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
CPH6001A-TL-E	文件：487.63 Kbytes Page：8 Pages	RFTransistor Features •Highgain:\|S21e\|2=11dBtyp(f=1GHz) •Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp •Smallandslim6-pinpackage •Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
CMUDW6001
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 UltraLow Leak Diode SMD
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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