增强型闪存 8 位 1T 8051 单片机

CMS8S5880为1T 8051内核的增强型 Flash MCU，工作电压 2.1V-4.5V，主频最高24MHz，I/O可达18个，ADC、PWM、2路UART，1路SPI，1路I2C，睡眠状态下静态电流低于6uA，可工作在-40℃至 105℃，提供TSSOP20/QFN20等封装。 • 1T 增强型8051内核，比80C51快约8倍以上\n• 工作频率：24MHz\n• 工作电压：2.1-4.5V \n• 工作温度：-40℃ - 105℃\n• 16KB Flash, 256 Bytes SRAM , 512 Bytes XRAM , 1K Bytes Data Flash\n• 多达18个GPIOs\n• 灵活配置的系统时钟\n• 低功耗模式\n• 1.1mA @IDLE mode\n• 6uA @Sleep mode\n• 多达5个通用定时器\n• 1个独立串口波特率发生器BRT\n• 1个WDT定时器，可定时唤醒\n• 多达6通道的PWM输出，PWM输出口可多端口映;

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中微半导体

增强型闪存 8 位 1T 8051 单片机

CMS8S5880为1T 8051内核的增强型 Flash MCU，工作电压 2.1V-4.5V，主频最高24MHz，I/O可达18个，ADC、PWM、2路UART，1路SPI，1路I2C，睡眠状态下静态电流低于6uA，可工作在-40℃至 105℃，提供TSSOP20/QFN20等封装。\r\n \r\n CMS8S5880系列MCU具有低功耗，方便开发等特性，被广泛应用于电池供电消费类产品，如美容仪、2.4G灯控、游戏手柄、云台等。 • 1T 增强型8051内核，比80C51快约8倍以上\r\n• 工作电压：2.1-4.5V \r\n• 16KB Flash, 256 Bytes SRAM , 512 Bytes XRAM , 1K Bytes Data Flash\r\n• 灵活配置的系统时钟\r\n• 1.1mA @IDLE mode\r\n• 多达5个通用定时器\r\n• 1个WDT定时器，可定时唤醒\r\n• 多达18通道的高精度12BIT ADC，转换速率140Kps\r\n• 1个SPI接口\r\n• 内置低电压复位LVR\r\n• 支持IAP/ICP/ISP\r\n• 支持串行调试（SWD）;

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CMS8S5880为1T 8051内核的增强型 Flash MCU，工作电压 2.1V-4.5V，主频最高24MHz，I/O可达18个，ADC、PWM、2路UART，1路SPI，1路I2C，睡眠状态下静态电流低于6uA，可工作在-40℃至 105℃，提供TSSOP20/QFN20等封装。\r\n \r\n CMS8S5880系列MCU具有低功耗，方便开发等特性，被广泛应用于电池供电消费类产品，如美容仪、2.4G灯控、游戏手柄、云台等。 • 1T 增强型8051内核，比80C51快约8倍以上\r\n• 工作电压：2.1-4.5V \r\n• 16KB Flash, 256 Bytes SRAM , 512 Bytes XRAM , 1K Bytes Data Flash\r\n• 灵活配置的系统时钟\r\n• 1.1mA @IDLE mode\r\n• 多达5个通用定时器\r\n• 1个WDT定时器，可定时唤醒\r\n• 多达18通道的高精度12BIT ADC，转换速率140Kps\r\n• 1个SPI接口\r\n• 内置低电压复位LVR\r\n• 支持IAP/ICP/ISP\r\n• 支持串行调试（SWD）;

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QFN16

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