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CMRDM3590	文件：609.69 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMRDM3590	文件：436.98 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMRDM3590_10	文件：422.04 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMRDM3590_12	文件：436.98 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMRDM3590_15	文件：436.98 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CTLDM3590	文件：1.16171 Mbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONMOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXA3590	文件：2.08555 Mbytes Page：23 Pages	XLampLED	CreeCree, Inc 科锐	Cree
CXB3590	文件：2.07158 Mbytes Page：21 Pages	XLamp®CXB3590LED FEATURES •30‑mmopticalsource •Mechanicalandopticaldesign consistentwithCXA35LED •Availablein70-,80-and90-minimum CRIoptions •EasyWhite®2-,3‑and5-stepbinning •Forwardvoltageoptions:36‑Vclass& 72‑Vclass •85°Cbinningandcharacterization •Extremelyuniform	CREELED Cree LED	CREELED
CXB3590	文件：2.50634 Mbytes Page：19 Pages	30?몀mopticalsource	CreeCree, Inc 科锐	Cree
FDS3590	文件：204.47 Kbytes Page：8 Pages	80VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •6.5A,80VRDS(ON)=0.037Ω@VGS=10VRDS(ON)=0.043Ω@VGS=6V •Lowgatechar	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
CMRDM3590
功能描述：
MOSFET DUAL N-CHNL MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多CMRDM3590供应商更新时间2025-7-15 15:17:00

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