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LT3575	文件：277.28 Kbytes Page：26 Pages	MonolithicHighVoltageIsolatedFlybackConverterNoExternalStart-UpResistor	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT3575	文件：1.3543 Mbytes Page：24 Pages	42VINMicropowerNo-OptoIsolatedFlybackConverterwith65V/1.2ASwitch DESCRIPTION TheLT®8301isamicropowerisolatedflybackconverter.Bysamplingtheisolatedoutputvoltagedirectlyfromtheprimary-sideflybackwaveform,thepartrequiresnothirdwindingoropto-isolatorforregulation.Theoutputvoltageisprogrammedwithasingleexternalresistor.Intern	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LT3575	文件：1.3915 Mbytes Page：24 Pages	100VINMicropowerIsolatedFlybackConverterwith150V/260mASwitch DESCRIPTION TheLT®8300isamicropowerhighvoltageisolatedflybackconverter.Bysamplingtheisolatedoutputvoltagedirectlyfromtheprimary-sideflybackwaveform,thepartrequiresnothirdwindingoropto-isolatorforregulation.Theoutputvoltageisprogrammedwithasingleexternalres	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LT3575	文件：1.54625 Mbytes Page：26 Pages	42VINMicropowerNo-OptoIsolatedFlybackConverterwith65V/3.6ASwitch DESCRIPTION TheLT®8302/LT8302-3isamonolithicmicropowerisolatedflybackconverter.Bysamplingtheisolatedoutputvoltagedirectlyfromtheprimary-sideflybackwaveform,thepartrequiresnothirdwindingoropto-isolatorforregulation.Theoutputvoltageisprogrammedwithtwoexternalr	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
MM3575	文件：73.62 Kbytes Page：6 Pages	3to5cellsLi-ion/Li-polymerbatteryprotectionIC	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
SKU3575	文件：258.37 Kbytes Page：2 Pages	ADAPTADORBT-0.5-01DEENCAPSULADOQFN56,MLP56,MLF56ADIP56PINES Descripción EnplasIC&Burn-inSocket,paraencapsulados:QFN56,MLP56,MLF56	AGELECTRONICA AG Electronica	AGELECTRONICA
SMZ3575	文件：100.69 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ3575	文件：43.7 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
UCD3575	文件：3.92843 Mbytes Page：50 Pages	WIRE&CABLETERMINATION	GREENLEE Greenlee Communications	GREENLEE
UPD3575	文件：228.22 Kbytes Page：9 Pages	1024BITLINEARIMAGESENSOR	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
CMRDM3575
功能描述：
MOSFET N AND P CHANNEL MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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