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CMRDM3575	文件：420.52 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMRDM3575_10	文件：420.52 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CMRDM3575_12	文件：436.38 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMRDM3575_15	文件：436.38 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
IR3575	文件：900.53 Kbytes Page：23 Pages	60AExposedTopIntegratedPowIRstage	IRF International Rectifier	IRF
IR3575	文件：955.45 Kbytes Page：22 Pages	60AExposedTopIntegratedPowIRstage	IRF International Rectifier	IRF
IR3575MTRPBF	文件：900.53 Kbytes Page：23 Pages	60AExposedTopIntegratedPowIRstage	IRF International Rectifier	IRF
LT3575	文件：313.4 Kbytes Page：24 Pages	100VINMicropowerIsolatedFlybackConverterwith150V/260mASwitch	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT3575	文件：257.26 Kbytes Page：20 Pages	IsolatedNoOpto-CouplerFlybackController	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

详细参数

型号：
CMRDM3575
功能描述：
MOSFET N AND P CHANNEL MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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