CMPTH81分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
CMPTH81 |
| 参数属性 | CMPTH81 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23 |
| 功能描述 | SURFACE MOUNT PNP SILICON RF TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
124.15 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | CENTRAL |
| 中文名称 | 美国中央半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-24 14:32:00 |
| 人工找货 | CMPTH81价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
CMPTH81规格书详情
CMPTH81属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美国中央半导体制造生产的CMPTH81晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH81 type is a PNP Silicon RF Transistor, epoxy molded in a surface mount package, designed for general RF amplifier applications.
MARKING CODE: C3D or 3D
产品属性
更多- 产品编号：
CMPTH81 TR
- 制造商：
Central Semiconductor Corp
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
20V
- 频率 - 跃迁：
600MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23
- 描述：
RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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