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CMPTH81分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

CMPTH81

参数属性

CMPTH81 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23

功能描述

SURFACE MOUNT PNP SILICON RF TRANSISTOR
RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

124.15 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

Central

中文名称

美国中央半导体

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更新时间

2025-10-7 11:10:00

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CMPTH81规格书详情

CMPTH81属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美国中央半导体制造生产的CMPTH81晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH81 type is a PNP Silicon RF Transistor, epoxy molded in a surface mount package, designed for general RF amplifier applications.

MARKING CODE: C3D or 3D

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CMPTH81 TR

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    20V

  • 频率 - 跃迁:

    600MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 描述:

    RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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