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CMPTH10分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

CMPTH10
厂商型号

CMPTH10

参数属性

CMPTH10 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23

功能描述

NPN SILICON RF TRANSISTOR
RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

77.83 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

Central

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-1 20:00:00

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CMPTH10规格书详情

CMPTH10属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美国中央半导体制造生产的CMPTH10晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTH10 type is an NPN silicon RF transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low noise UHF/VHF amplifier and high output oscillator applications.

Marking code is C3E.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CMPTH10 TR

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    25V

  • 频率 - 跃迁:

    650MHz

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 4mA,10V

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 描述:

    RF TRANS NPNUHF/VHF SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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