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CMPTA14	文件：101.31 Kbytes Page：2 Pages	complementary silicon darlington transistors DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPTA13andCMPTA63seriesarecomplementarysilicondarlingtontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforapplicationsrequiringextremelyhighgain. MARKINGCODES:CMPTA13:C1M	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPTA14	文件：321.8 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPTA14E	文件：140.46 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPTA14EisanEnhancedversionoftheCMPTA14NPNDarlingtonTransistor.Thisdeviceismanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountSOT-23package,designedforapplicationsrequiringextremelyhighgain. MARKINGCODE:C1N	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPTA14E	文件：327.58 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPTA14 TR PBFREE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 30V 0.5A SOT23	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

晶体管资料

型号：
CMPTA14
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.35W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
H-15
vtest：
30
htest：
999900
atest：
0
wtest：
0.35

详细参数

型号：
CMPTA14
功能描述：
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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