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CMPT3904E	文件：336.18 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CMPT3904E_10	文件：336.18 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT3904E_15	文件：336.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT3904E TR PBFREE	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.2A SOT23	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT3904G	文件：332.33 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CMST3904	文件：118.31 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSUPERminiCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMST3904andCMST3906arecomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinanSOT-323surfacemountpackage,designedforsmallsignalgeneralpurposeamplifierandswitchingapplications. MARKINGCODES:CMST39	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMST3904	文件：408.65 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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详细参数

型号：
CMPT3904E
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Enhanced Complimentary
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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