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CMPDM302PH	文件：349.39 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPDM302PH_12	文件：353.68 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPDM302PH_15	文件：850.99 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON ENHANCEMENT-MODE P-CHANNEL MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMR-302	文件：933.54 Kbytes Page：2 Pages	CMRMonoleverSwitches	GREEGOO GREEGOO Electric Co.,Ltd	GREEGOO
CMRN-302	文件：933.54 Kbytes Page：2 Pages	CMRMonoleverSwitches	GREEGOO GREEGOO Electric Co.,Ltd	GREEGOO
CN302	文件：133.28 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CN302	文件：220.79 Kbytes Page：9 Pages	LowPowerBatteryMonitorwithHysteresisControl	CONSONANCEShanghai Consonance Electronics Incorporated 上海如韵上海如韵电子有限公司	CONSONANCE
CP302	文件：62.42 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE-P.C.MTG2A,HEAT-SINKMTG3A(VOLTAGE-50to1000VoltsCURRENT-3.0Amperes) VOLTAGE-50to1000VoltsCURRENT-3.0Amperes FEATURES •Surgeoverloadrating—50Amperespeak •Lowforwardvoltagedropandreverseleakage •Smallsize,simpleinstallation •PlasticpackagehasUnderwriterLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Reliablelow	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
CP302	文件：123.83 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE-P.C.MTG2A,HEAT-SINKMTG3A VOLTAGE-50to1000VoltsCURRENT-3.0Amperes FEATURES •Surgeoverloadrating—50Amperespeak •Lowforwardvoltagedropandreverseleakage •Smallsize,simpleinstallation •PlasticpackagehasUnderwriterLaboratory FlammabilityClassification94V-O •Reliablelow	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
CP302	文件：450.37 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorNPN-SiliconRFTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR) DieSize14.5x14.5MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea2.3x2.3MILS EmitterBondingPadArea2.5x2.3MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-18,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
CMPDM302PH
功能描述：
MOSFET SMD Small Signal Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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