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DG2004	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2004DQ	文件：62.03 Kbytes Page：7 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2003/2004/2005aredualsingle-pole/single-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,fastswitching,lowon-resistance(rDS(on):1.2Ω)andsmallphysicalsize(MSOP-8),theDG2003/2004/2005areidealfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2004DQ	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DMC2004DWK	文件：358.39 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)1V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •ComplementaryPairMOSFET •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes2&am	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2004LPK	文件：365.56 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2004VK	文件：369.83 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DMK	文件：155.88 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Gr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DMK	文件：291.47 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DWK	文件：285.4 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DWK	文件：155.49 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGate	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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