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D2004UK	文件：51.95 Kbytes Page：4 Pages	METALGATERFSILICONFET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET 10W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES •SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN •SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS •VERYLOWCrss •SIMPLEBIASCIRCUITS •LOWNOISE •HIGHGAIN–10dBMINIMUM APPLICATIONS •HF/VHF/UHFCOMMUNICATIONSfromDCto2	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2004	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2004DQ	文件：62.03 Kbytes Page：7 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2003/2004/2005aredualsingle-pole/single-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,fastswitching,lowon-resistance(rDS(on):1.2Ω)andsmallphysicalsize(MSOP-8),theDG2003/2004/2005areidealfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2004DQ	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DMC2004DWK	文件：358.39 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)1V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •ComplementaryPairMOSFET •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes2&am	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2004LPK	文件：365.56 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2004VK	文件：369.83 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DMK	文件：155.88 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Gr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DMK	文件：291.47 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DWK	文件：285.4 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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产品属性

产品编号：
CMPD2004C TR PBFREE
制造商：
Central Semiconductor Corp
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
DIODE ARRAY GP 240V 200MA SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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