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CMPD2003S分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

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厂商型号

CMPD2003S

参数属性

CMPD2003S 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

功能描述

SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

111.72 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

CENTRAL

中文名称

美国中央半导体

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更新时间

2026-1-22 8:26:00

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CMPD2003S规格书详情

CMPD2003S属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由美国中央半导体制造生产的CMPD2003S二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD2003, CMPD2003A, CMPD2003C, CMPD2003S, CMPD2004, CMPD2004A, CMPD2004C and CMPD2004S types are silicon switching diodes manufactured by the epitaxial planar process, designed for applications requiring high voltage capability.

产品属性

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  • 产品编号:

    CMPD2003S TR TIN/LEAD

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    散装

  • 二极管配置:

    1 对串联

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

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