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CMPD2003分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

CMPD2003
厂商型号

CMPD2003

参数属性

CMPD2003 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

功能描述

SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

111.72 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Central Semiconductor Corp
企业简称

Central

中文名称

美国中央半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-2 10:06:00

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CMPD2003规格书详情

CMPD2003属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由美国中央半导体制造生产的CMPD2003二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD2003, CMPD2003A, CMPD2003C, CMPD2003S, CMPD2004, CMPD2004A, CMPD2004C and CMPD2004S types are silicon switching diodes manufactured by the epitaxial planar process, designed for applications requiring high voltage capability.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    CMPD2003 TR PBFREE

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 不同 Vr、F 时电容:

    5pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23

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