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CMPD2003C	文件：110.25 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD2003, CMPD2003C, CMPD2003S, CMPD2004, CMPD2004C, and CMPD2004S types are silicon switching diodes manufactured by the epitaxial planar process, designed for applications requiring high voltage capability. 文件：110.25 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD2003C	文件：111.72 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPD2003, CMPD2003A, CMPD2003C, CMPD2003S, CMPD2004, CMPD2004A, CMPD2004C and CMPD2004S types are silicon switching diodes manufactured by the epitaxial planar process, designed for applications requiring high voltage capability. 文件：111.72 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD2003C	文件：590.47 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE 文件：590.47 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD2003C	文件：590.47 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE 文件：590.47 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
CMPD2003C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Surface mount Diode-Switching Dual: High Voltage: Common Cathode	Central	Central
CMPD2003C TR TIN/LEAD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23	CENTRAL	CENTRAL

技术参数

Case：
SOT-23 (TO-236AB)
Configuration/ Description：
Dual
VRRM MAX：
250V
Io MAX：
200mA
IFSM MAX：
4A
IR MAX：
100nA
@VR：
200V
VF MAX：
1V
@IF：
100mA
trr MAX：
50ns
CJ MAX：
5pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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