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SW100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWB100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWD100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWI100N03	文件：996.19 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SWI100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
SWP100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER
TF100N03	文件：2.09987 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Features 30V,100A RDSON(typ)=2.9mΩ@VGS=10V RDSON(typ)=4.3mΩ@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ProvideExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired Application LoadSwitch PWMApplication Powermanagement 100UISTESTED! 100ΔVdsTEST	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
TF100N03M	文件：4.67814 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF100N03MusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitching	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
UT100N03	文件：275.27 Kbytes Page：5 Pages	100A,30VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUT100N03usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)=5.3mΩ@VGS=10V RDS(ON)=8.0mΩ@VGS=4.5V	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT100N03G-TND-R	文件：364.35 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFETARRAYFORSWITCHING	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

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