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KSZ8001SI	文件：561.4 Kbytes Page：46 Pages	1.8C,3.3V10/100BASE-T/TX/FXPhysicalLayerTransceiver GeneralDescription TheKSZ8001isa10BASE-T/100BASE-TX/100BASE-FXPhysicalLayerTransceiver,operatingthecoreat1.8voltstomeetlowvoltageandlowpowerrequirements.ThesolutionprovidesMII/RMII/SMIIinterfacestotransmitandreceivedata.Auniquemixed-signaldesignextendssignali	MicrelMicrel Semiconductor 麦瑞半导体	Micrel
KSZ8001SIS-TR	文件：542.86 Kbytes Page：51 Pages	1.8V,3.3V10/100BASE-T/TX/FXPhysicalLayerTransceiver	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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1.8C,3.3V10/100BASE-T/TX/FXPhysicalLayerTransceiver

GeneralDescription TheKSZ8001isa10BASE-T/100BASE-TX/100BASE-FXPhysicalLayerTransceiver,operatingthecoreat1.8voltstomeetlowvoltageandlowpowerrequirements.ThesolutionprovidesMII/RMII/SMIIinterfacestotransmitandreceivedata.Auniquemixed-signaldesignextendssignali

MicrelMicrel Semiconductor

麦瑞半导体

Micrel

KSZ8001SIS-TR

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1.8V,3.3V10/100BASE-T/TX/FXPhysicalLayerTransceiver

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

KSZ8001SL

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1.8V,3.3V10/100BASE-T/TX/FXPhysicalLayerTransceiver

MicrelMicrel Semiconductor

麦瑞半导体

Micrel

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详细参数

型号：
CMNDM8001
功能描述：
MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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