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HM8001A	文件：422.14 Kbytes Page：3 Pages	SingleASICchipdesignwithveryfewexternalcomponents	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM8001B	文件：422.14 Kbytes Page：3 Pages	SingleASICchipdesignwithveryfewexternalcomponents	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM8001C	文件：422.14 Kbytes Page：3 Pages	SingleASICchipdesignwithveryfewexternalcomponents	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HX8001	文件：19.63 Kbytes Page：1 Pages	28.5-30.5GHzPassiveUpconverter	HBH HBH Microwave GmbH	HBH
ICL8001	文件：4.13074 Mbytes Page：122 Pages	P-CHANNELJFET GENERALINFORMATION/CROSSREFERENCES	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ICL8001G	文件：620.42 Kbytes Page：16 Pages	Single-StageFlybackAndPFCControllerForLEDLightingApplications Description TheICL8001Gemploysquasi-resonantoperationmodeoptimizedforoff-lineLEDlighting,especiallydimmableLEDbulbsforincandescentlampreplacement. PrecisePWMgenerationenablesprimarycontrolforphasecutdimmingandhighpowerfactorPF>98.Significantimproveddrivereffic	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IK8001	文件：1.30608 Mbytes Page：21 Pages	One-chipMultifunctionVoltageRegulator	IKSEMICON IK Semicon Co., Ltd	IKSEMICON
IPP-8001	文件：94.94 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINESMDCOUPLERBDC	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
ISCF8001	文件：751.68 Kbytes Page：5 Pages	SiCN-ChannelMOSFET FEATURES ·HighBlockingVoltagewithLowOn-Resistance ·RDS(ON)=0.75Ω@VGS=20VTj=25℃ ·LowCapacitances ·AvalancheRuggednes APPLICATIONS ·SolarInverters ·SwitchModePowerSupplies ·HighVoltageDC-DCConverters ·BatterryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCFM8001	文件：804.59 Kbytes Page：8 Pages	All-SiCPowerModule FEATURES ·VDS=1200V,RDS(on)=5.3mΩ（max） ·ZeroReverseRecoveryCurrentfromDiode ·ZeroTurn-OffTailCurrentfromMOSFET ·High-FrequencyOperation ·EaseofParalleling ·UltraLowLoss APPLICATIONS ·SolarandWindInverters ·UPSandSMPS ·MotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
CMNDM8001
功能描述：
MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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