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CMLT5551	文件：90.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PICOmini DUAL NPN SMALL SIGNAL SILICON SWITCHING TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT5551consistsoftwoindividual,isolatedNPNsilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocessandepoxymoldedinanSOT-563sufacemountpackage.Thisdevicehasbeendesignedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:5C5	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT5551HC	文件：88.85 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PICOmini HIGH CURRENT SILICON NPN TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT5551HCisahighcurrentNPNsilicontransistor,manufacturedbytheepitaxialplanarprocessandepoxymoldedinanSOT-563sufacemountpackage.Thisdevicehasbeendesignedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications. MARKINGCODE:C51	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT5551_10	文件：581.57 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL NPN SMALL SIGNAL HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CMLT5551HC_10	文件：512.64 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON NPN TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT5551HC_15	文件：441.19 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON HIGH CURRENT NPN TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
CMLT5551
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual NPN Small Sgnl High Voltage
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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