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CMLT5088E	文件：122.31 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION PICOmini SURFACE MOUNT SILICON DUAL TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT5088E	文件：525.65 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SILICON DUAL TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT5088E	文件：450.59 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON DUAL TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT5088EM	文件：685.21 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL, MATCHED NPN SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT5088EMconsistsoftwoindividual,isolated5088ENPNsilicontransistorswithmatchedVBE(ON)characteristics.Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringhighgainandlownoise. MARKINGCODE:88M FEATURES: •TransistorpairmatchedforVBE(O	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT5088EM_15	文件：616.08 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON DUAL, MATCHED NPN TRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5088	文件：99.18 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5088andCMPT5089areNPNsilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforsmallsignalgeneralpurposeandswitchingapplications. MARKINGCODES:CMPT5088:C1QCMPT5089:C1R	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5088	文件：330.42 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5088	文件：328.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN-LowNoiseAmplifierTransistorChip SmallSignalTransistor NPN-LowNoiseAmplifierTransistorChip	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5088	文件：330.42 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5088E	文件：335.26 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
CMLT5088E
功能描述：
两极晶体管 - BJT Dual - NPN/NPN Enhanced
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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