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CMLT3906E	文件：110.42 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION COMPLEMENTARY PICOmini SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT3906E	文件：523.659 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT3906E	文件：454.39 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON COMPLEMENTARY TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLT3906EG	文件：523.659 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CMNT3906E	文件：168.55 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYFEMTOminiTMSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMNT3904EandCMNT3906ELowVCE(SAT)NPNandPNPTransistors,respectively,aredesignedforapplicationswhereultrasmallsizeandpowerdissipationaretheprimerequirements.PackagedinanFEMTOmini™SOT-953package,thesecomponentsprovideperformance	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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详细参数

型号：
CMLT3906
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Complementary Enhanced
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多CMLT3906供应商更新时间2025-5-7 14:40:00

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