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CMLT3904E

ENHANCED SPECIFICATION COMPLEMENTARY PICOmini SILICON TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMLT3904E

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMLT3904E

SURFACE MOUNT SILICON COMPLEMENTARY TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMLT3904E_10

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMLT3904E_15

SURFACE MOUNT SILICON COMPLEMENTARY TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMLT3904EG

ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMLT3904EG

SURFACE MOUNT SILICON COMPLEMENTARY TRANSISTORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMNT3904E

COMPLEMENTARYFEMTOminiTMSILICONTRANSISTORS

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMNT3904EandCMNT3906ELowVCE(SAT)NPNandPNPTransistors,respectively,aredesignedforapplicationswhereultrasmallsizeandpowerdissipationaretheprimerequirements.PackagedinanFEMTOmini™SOT-953package,thesecomponentsprovideperformance

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMNT3904E

ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTOR

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CMNT3904E

SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONTRANSISTOR

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

详细参数

  • 型号:

    CMLT3904

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN Complementary Enhanced

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多CMLT3904供应商 更新时间2025-5-23 18:03:00