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CMLDM5757	文件：591.42 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFETS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLDM5757	文件：1.45026 Mbytes Page：2 Pages	Dual, Complementary MOSFETs	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLDM5757	文件：1.034589 Mbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLDM5757_13	文件：1.034589 Mbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLDM5757_15	文件：1.09134 Mbytes Page：4 Pages	SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
DW5757	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FT5757M	文件：135.79 Kbytes Page：2 Pages	SILICONDARLINGTONTRANSISTORARRAY	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
ISL5757	文件：9.95425 Mbytes Page：44 Pages	Providinghigh-performancesolutionsforeverylinkinthesignalchain	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL5757	文件：625.63 Kbytes Page：13 Pages	10-bit,3.3V,260MSPS,HighSpeedD/AConverter	Intersil Intersil Corporation	Intersil
ISL5757	文件：902.72 Kbytes Page：13 Pages	10-bit,3.3V,260MSPS,HighSpeedD/AConverter	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
CMLDM5757
功能描述：
MOSFET Small Signal Mosfet Dual P Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市赛美科科技有限公司	CMLDM5757	CENTRAL	新年份	SOT-563	69900	原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!	询价
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更多CMLDM5757供应商更新时间2025-7-24 14:00:00

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