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CMLDM3757	文件：595.82 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY MOSFETS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMLDM3757_15	文件：1.5643 Mbytes Page：5 Pages	ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY MOSFET	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
K3757	文件：250.64 Kbytes Page：6 Pages	SiliconN-ChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=1.9Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=1.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=450V) •Enhancementmodel:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
LT3757	文件：257.26 Kbytes Page：20 Pages	IsolatedNoOpto-CouplerFlybackController	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT3757	文件：396.09 Kbytes Page：36 Pages	Boost,Flyback,SEPICandInvertingController	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT3757	文件：373.51 Kbytes Page：36 Pages	PolyPhaseSynchronousBoostController	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT3757	文件：523.299 Kbytes Page：38 Pages	60VPolyPhaseSynchronousBoostController	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT3757	文件：1.3915 Mbytes Page：24 Pages	100VINMicropowerIsolatedFlybackConverterwith150V/260mASwitch DESCRIPTION TheLT®8300isamicropowerhighvoltageisolatedflybackconverter.Bysamplingtheisolatedoutputvoltagedirectlyfromtheprimary-sideflybackwaveform,thepartrequiresnothirdwindingoropto-isolatorforregulation.Theoutputvoltageisprogrammedwithasingleexternalres	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LT3757	文件：496.3 Kbytes Page：36 Pages	Boost,Flyback,SEPICandInvertingController	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LT3757	文件：514.289 Kbytes Page：32 Pages	WideInputVoltageRange	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

详细参数

型号：
CMLDM3757
功能描述：
MOSFET N&P Chan Comp Mosfet’s
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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