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CMXD2004SR	文件：434.38 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTDUALPAIR,IN-SERIESHIGHVOLTAGESILICONSWITCHINGDIODES	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMXD2004TO	文件：90.36 Kbytes Page：2 Pages	SUPERminiTMTRIPLEISOLATEDOPPOSINGSURFACEMOUNTHIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMXD2004TOconsistsofthree(3)IsolatedHighVoltageSiliconSwitchingDiodesarrangedinanalternatingconfigurationinaSUPERminiSOT-26surfacemountpackage,anddesignedforhighvoltageswitchingapplications.Thisdevicecanbeconfiguredasa900	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
D2004UK	文件：51.95 Kbytes Page：4 Pages	METALGATERFSILICONFET GOLDMETALLISEDMULTI-PURPOSESILICONDMOSRFFET 10W–28V–1GHzPUSH–PULL FEATURES •SIMPLIFIEDAMPLIFIERDESIGN •SUITABLEFORBROADBANDAPPLICATIONS •VERYLOWCrss •SIMPLEBIASCIRCUITS •LOWNOISE •HIGHGAIN–10dBMINIMUM APPLICATIONS •HF/VHF/UHFCOMMUNICATIONSfromDCto2	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
DG2004	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2004DQ	文件：62.03 Kbytes Page：7 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch DESCRIPTION TheDG2003/2004/2005aredualsingle-pole/single-throwmonolithicCMOSanalogswitchdesignedforhighperformanceswitchingofanalogsignals.Combininglowpower,fastswitching,lowon-resistance(rDS(on):1.2Ω)andsmallphysicalsize(MSOP-8),theDG2003/2004/2005areidealfor	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG2004DQ	文件：74.38 Kbytes Page：8 Pages	Low-VoltageDualSPSTAnalogSwitch features LowVoltageOperation(1.8Vto5.5V) LowOn-Resistance-rDS(on):1.2 FastSwitching-14ns LowChargeInjection-QINJ:1pC LowPowerConsumption TTL/CMOSCompatible MSOP-8Package benefits ReducedPowerConsumption SimpleLogicInterface HighAccur	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DMC2004DWK	文件：358.39 Kbytes Page：8 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)1V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •ComplementaryPairMOSFET •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes2&am	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2004LPK	文件：365.56 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMC2004VK	文件：369.83 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2004DMK	文件：155.88 Kbytes Page：4 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Gr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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详细参数

型号：
CMLD2004C
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 Dual Common Cathode High Voltage
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	CMLD2004C	CENTRAL	23+	SOT-563	63000	原装正品现货	询价
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