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CMF20120D_CREE/科锐_MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT正纳电子一部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:CMF20120D
- 技术
:SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss)
:1200V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:42A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
:20V
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:110 毫欧 @ 20A,20V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:90.8nC @ 20V
- Vgs(最大值)
:+25V,-5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:1915pF @ 800V
- FET 功能
:-
- 功率耗散(最大值)
:215W(Tc)
- 工作温度
:-55°C ~ 135°C(TJ)
- 安装类型
:通孔
- 供应商器件封装
:TO-247-3
- 封装/外壳
:TO-247-3
供应商
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