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CMF20120D	文件：2.3448 Mbytes Page：13 Pages	Silicon Carbide Power MOSFET Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET 文件：2.3448 Mbytes 页数：13 Pages	Cree 科锐	Cree
CMF20120D	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE	Wolfspeed(CREE)	Wolfspeed(CREE)
CS20120B	文件：340.44 Kbytes Page：4 Pages	CURRENT SENSOR 文件：340.44 Kbytes 页数：4 Pages	CUI	CUI
CS20120B	文件：332.43 Kbytes Page：4 Pages	CURRENT SENSOR FEATURES • open loop • bipolar • detects current direction • single channel 文件：332.43 Kbytes 页数：4 Pages	SAMESKY	SAMESKY
CSD20120	文件：358.49 Kbytes Page：5 Pages	RECTIFIER 文件：358.49 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

技术：
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
110 毫欧 @ 20A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
90.8nC @ 20V
Vgs（最大值）：
+25V，-5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
1915pF @ 800V
功率耗散（最大值）：
215W（Tc）
工作温度：
-55°C ~ 135°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-247-3
封装/外壳：
TO-247-3

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