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CMD120N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS	CMOS 场效应	CMOS
FDB120N10	文件：508.34 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 74A, 12m廓文件：508.34 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDP120N10	文件：691.29 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 74A, 12m廓文件：691.29 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
IXUC120N10	文件：56.7 Kbytes Page：2 Pages	Trench Power MOSFET ISOPLUS220 Trench Power MOSFET ISOPLUS220TM Electrically Isolated Back Surface Features • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation • Trench MOSFET - very low RDS(on) - fast switching - usabl 文件：56.7 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Type：
SMD/MOS
Vdss(V)：
100
Ids(A)：
80
Vth(V)：
3
Rds(Ω)-10V：
0.0063
Rds(Ω)-4.5V：
0.008
Channel：
N场
Pd(W)：
140
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