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KSP8099	文件：37.62 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistor AmplifierTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=KSP8098:60VKSP8099:80V •CollectorPowerDissipation:PC(max)=625mW •Suffix“-C”meansCenterCollector(1.Emitter2.Collector3.Base)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSP8099TF	文件：43.1 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistor AmplifierTransistor •Collector-EmitterVoltage:VCEO=KSP8098:60VKSP8099:80V •CollectorPowerDissipation:PC(max)=625mW •Suffix“-C”meansCenterCollector(1.Emitter2.Collector3.Base)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
LV8099CS	文件：215.02 Kbytes Page：9 Pages	Constant-currentDriverIC	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LV8099CT	文件：215.14 Kbytes Page：9 Pages	ForVCMsConstant-currentDriverIC	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MPS8099	文件：258.95 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS AmplifierTransistors	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
MPS8099	文件：329.46 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORMPS8098andMPS8099typesareNPNsilicontransistorsdesignedforgeneralpurposeaudioamplifierapplications. PNPcomplementarytypesareMPS8598andMPS8599.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS8099	文件：77.96 Kbytes Page：2 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors VoltageandCurrentareNegativeforPNPTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MPS8099	文件：735.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN-HighCurrentTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize22x22MILS DieThickness5.9MILS BaseBondingPadArea3.7x3.7MILS EmitterBondingPadArea4.2x4.2MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-13,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS8099	文件：32.97 Kbytes Page：1 Pages	NPN(AMPLIFIERTRANSISTOR)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS8099	文件：128.389 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
CMBT8099T/-W
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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