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DMMT3906	文件：130.69 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IntrinsicallyMatchedPNPPair(Note1) •SmallSurfaceMountPackage •2hFEMatchedTolerance •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMMT3906	文件：146.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSmallSignalTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-smallsurfacemountpackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
DMMT3906	文件：236.75 Kbytes Page：4 Pages	PNPSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
DMMT3906	文件：275.43 Kbytes Page：4 Pages	PNPSmallSignalTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
DMMT3906-TP	文件：146.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPSmallSignalTransistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-smallsurfacemountpackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureS	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
DMMT3906W	文件：161.88 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMMT3906W	文件：67.61 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>-40V •IC=-200mAHighCollectorCurrent •PairofPNPTransistorsThatAreIntrinsicallyMatched(Note1) •2MatchingonCurrentGain(hFE) •2mVMatchingonBase-EmitterVoltage(VBE) •FullyInternallyIsolatedinaSmallSurfaceMountPackage •TotallyLead-Free&am	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMMT3906W	文件：183.35 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IntrinsicallyMatchedPNPPair(Note1) •SmallSurfaceMountPackage •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DS3906	文件：260.1 Kbytes Page：14 Pages	TripleNVLowStepSizeVariableResistorPlusMemory	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS3906U	文件：260.1 Kbytes Page：14 Pages	TripleNVLowStepSizeVariableResistorPlusMemory	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DST3906DJ	文件：134.13 Kbytes Page：6 Pages	DUAL40VPNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •VCEO=-40V •IC=-200mA •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •UltraSmallPackage	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DXT3906	文件：237.96 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFPNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
DXT3906	文件：183.49 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DXT3904) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
EN3906A	文件：369.9 Kbytes Page：6 Pages	PINDiodeforVHF,UHF,AGCApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FFB3906	文件：81.38 Kbytes Page：6 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10µAto100mA.SourcedfromProcess66.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFB3906D	文件：497.7 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposePNPTransistor DualGeneralPurposePNPTransistor TheFFB3906Ddeviceisspin–offofourpopularSOT–23/SOT–323three–leadeddevice.ItisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationsandishousedintheSOT–363six–leadedsurfacemountpackage.Byputtingtwodiscretedevicesinonepackage,thisdevi	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FJX3906	文件：41.85 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Feature •General-PurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJX3906TF	文件：47.33 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Feature •General-PurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMB3906	文件：81.38 Kbytes Page：6 Pages	PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier PNPMulti-ChipGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrentsof10µAto100mA.SourcedfromProcess66.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FMBT3906	文件：36.7 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheFMBT3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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详细参数

型号：
CMBT3906T/-W
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 0.2A 40V Gen Pur
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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