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HMH2369	文件：43.52 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHPH2369isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighspeedswitchingTransistor	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HPH2369	文件：43.52 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHPH2369isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighspeedswitchingTransistor	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
HPN2369A	文件：39.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHPN2369Aisdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighSpeedSwitchingTransistor	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
KI2369DS	文件：2.20127 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-7.6A(VGS=±20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KI2369DS-HF	文件：2.25568 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-7.6A(VGS=±20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTH2369	文件：309.09 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHSPEEDSWITCHING) HIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighFrequencyCharacteristics :fT=500MHz(Min.)(VCE=10V,f=100MHz,IC=10mA). •ExcellentSwitchingCharacteristics.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTH2369A	文件：370.88 Kbytes Page：1 Pages	TO-92PACKAGE	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTH2369A	文件：309.09 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHSPEEDSWITCHING) HIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighFrequencyCharacteristics :fT=500MHz(Min.)(VCE=10V,f=100MHz,IC=10mA). •ExcellentSwitchingCharacteristics.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTN2369	文件：150.63 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HISHSPEEDSWITCHING) HIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •HighFrequencyCharacteristics:fT=500MHz(Min.)(VCE=10V,f=100MHz,IC=10mA). •ExcellentSwitchingCharacteristics. •KTN2369/2369AElectricallySimilarto2N2369/2369A.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTN2369	文件：315.31 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

详细参数

型号：
CMBT2369T/-W
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 0.5A 15V Switch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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