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DS8880J	文件：139.23 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage7-SegmentDecoder/Driver	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
DS8880J	文件：385.49 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltage7-SegmentDecoder/Driver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DS8880N	文件：385.49 Kbytes Page：8 Pages	HighVoltage7-SegmentDecoder/Driver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DS8880N	文件：139.23 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltage7-SegmentDecoder/Driver	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
FDB8880	文件：231.85 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowrDS(ON)andfastswitchingspeed. Features ■rDS(ON)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB8880	文件：330.74 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=54A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=11.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD8880	文件：1.01995 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDD8880	文件：127.5 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8880	文件：503.61 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrench짰MOSFET30V,58A,9m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD8880	文件：353.29 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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