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CM800E4C-66H数据手册MITSUBISHI中文资料规格书

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厂商型号

CM800E4C-66H

功能描述

高压IGBT模块 (HVIGBT)

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-8-7 22:50:00

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CM800E4C-66H规格书详情

特性 Features

·基板:有Cu和AlSiC两种
·额定电压:从1700V到6500V
·额定电流:从200A到2400A
·绝缘电压:从4.0kVrms到10.2kVrms
·H系列:采用平板型IGBT硅片,其可靠性已得到业界公认
·N系列:采用 CSTBTTM硅片,进一步降低损耗,缩小体积
·N系列B型:采用 CSTBTTM硅片,封装与H系列兼容
·R系列:封装尺寸与 H 系列兼容;额定电流提升到1500A;高短路鲁棒性设计;运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C;最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。
·续流二极管:软恢复特性,保证良好的EMI性能

应用 Application

·牵引和大功率变频传动
·电力传输
·DC斩波器装置

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
三菱(1U1400V/1700V)IGBT
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