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CM800E4C-66H	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压IGBT模块 (HVIGBT) ·基板：有Cu和AlSiC两种\n·额定电压：从1700V到6500V\n·额定电流：从200A到2400A\n·绝缘电压：从4.0kVrms到10.2kVrms \n·H系列：采用平板型IGBT硅片，其可靠性已得到业界公认\n·N系列：采用 CSTBTTM硅片，进一步降低损耗，缩小体积\n·N系列B型：采用 CSTBTTM硅片，封装与H系列兼容\n·R系列：封装尺寸与 H 系列兼容;额定电流提升到1500A；高短路鲁棒性设计；运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C；最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。\n·续流二极管：软恢复特性，保证良好的EMI性能;	MITSUBISHI 三菱电机	MITSUBISHI
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CM85001	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP-16	CM 上传：深圳台格电子科技有限公司	CM
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更多CM800E4C-66H供应商更新时间2025-11-4 11:10:00