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CM50DU-24F	文件：104.63 Kbytes Page：4 Pages	Trench Gate Design Dual IGBTMOD??50 Amperes/1200 Volts Description: PowerexIGBTMOD™Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalfbridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolated	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
CM50DU-24F	文件：105.81 Kbytes Page：4 Pages	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
CM50DU-24H	文件：116.65 Kbytes Page：4 Pages	IGBTMODULESMEDIUMPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE MEDIUMPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE ●IC.....................................................................50A ●VCES.......................................................1200V ●InsulatedType ●2-elementsinapack APPLICATION UPS,NCmachine,AC-Drivecontrol,Servo,Welde	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
CM50DU-24H	文件：312.97 Kbytes Page：4 Pages	DualIGBTMOD??U-SeriesModule50Amperes/1200Volts Description: PowerexIGBTMOD™Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalfbridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolatedfrom	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX

详细参数

型号：
CM50DU-24F
功能描述：
IGBT MOD DUAL 1200V 50A F SER
RoHS：
是
类别：
半导体模块 >> IGBT
系列：
IGBTMOD™
标准包装：
10
系列：
GenX3™ IGBT
类型：
PT
配置：
单一电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
600V Vge,
Ic时的最大Vce（开）：
1.4V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
430A 电流 -
集电极截止（最大）：
100µA Vce
时的输入电容(Cies)：
31nF @ 25V 功率 -
最大：
1000W
输入：
标准 NTC
热敏电阻：
无
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装：
SOT-227B

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更多CM50DU-24F供应商更新时间2025-5-19 15:30:00

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