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CM150DU-24F	文件：73 Kbytes Page：4 Pages	HIGH POWER SWITCHING USE IC...................................................................150A VCES.........................................................1200V InsulatedType 2-elementsinapack APPLICATION Generalpurposeinverters&Servocontrols,etc	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
CM150DU-24F	文件：93.39 Kbytes Page：4 Pages	Trench Gate Design Dual IGBTMOD??150 Amperes/1200 Volts Description: PowerexIGBTMOD™Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalfbridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolated	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
CM150DU-24F	文件：117.28 Kbytes Page：4 Pages	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
CM150DU-24F_09	文件：117.28 Kbytes Page：4 Pages	IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
CM150DU-24H	文件：84.82 Kbytes Page：4 Pages	IGBTMODULESHIGHPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
CM150DU-24H	文件：58.01 Kbytes Page：4 Pages	DualIGBTMOD150Amperes/1200Volts Description: PowerexIGBTMOD™Modulesaredesignedforuseinswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalfbridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-connectedsuper-fastrecoveryfree-wheeldiode.Allcomponentsandinterconnectsareisolatedfrom	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
CM150DU-24H	文件：43.18 Kbytes Page：4 Pages	HIGHPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE HIGHPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE ●IC...................................................................150A ●VCES.......................................................1200V ●InsulatedType ●2-elementsinapack ●ULRecognized YellowCardNo.E80276FileNo.E80271 APPLICA	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
CM150DU-24NFH	文件：627.38 Kbytes Page：4 Pages	DualIGBTMODNFH-SeriesModule150Amperes/1200Volts Description: PowerexIGBTMOD™Modulesaredesignedforuseinhighfrequencyapplications;30kHzforhardswitchingapplicationsand60to70kHzforsoftswitchingapplications.EachmoduleconsistsoftwoIGBTTransistorsinahalf-bridgeconfigurationwitheachtransistorhavingareverse-con	POWEREX Powerex Power Semiconductors	POWEREX
CM150DU-24NFH	文件：122.91 Kbytes Page：4 Pages	IGBTMODULESHIGHPOWERSWITCHINGUSE	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
CM150DU-24NFH	文件：75.28 Kbytes Page：4 Pages	HIGHPOWERSWITCHINGUSE HIGHPOWERSWITCHINGUSE ●IC...................................................................150A ●VCES.........................................................1200V ●InsulatedType ●2-elementsinapack APPLICATION Highfrequencyswitchinguse(30kHzto60kHz). Gradientam	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi

详细参数

型号：
CM150DU-24F
功能描述：
IGBT MOD DUAL 1200V 150A F SER
RoHS：
是
类别：
半导体模块 >> IGBT
系列：
IGBTMOD™
标准包装：
10
系列：
GenX3™ IGBT
类型：
PT
配置：
单一电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
600V Vge,
Ic时的最大Vce（开）：
1.4V @ 15V，100A 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
430A 电流 -
集电极截止（最大）：
100µA Vce
时的输入电容(Cies)：
31nF @ 25V 功率 -
最大：
1000W
输入：
标准 NTC
热敏电阻：
无
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装：
SOT-227B

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