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CM150DU-12F

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE

HIGH POWER SWITCHING USE ● IC ...................................................................150A ● VCES ............................................................600V ● Insulated Type ● 2-elements in a pack APPLICATION General purpose inverters & Servo controls, etc

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Mitsubishi

三菱电机

CM150DU-12F

Trench Gate Design Dual IGBTMOD??150 Amperes/600 Volts

Description: Powerex IGBTMOD™ Modules are designed for use in switching applications. Each module consists of two IGBT Transistors in a halfbridge configuration with each transistor having a reverse-connected super-fast recovery free-wheel diode. All components and interconnects are isolated from

文件:351.42 Kbytes 页数:4 Pages

POWEREX

CM150DU-12H

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

文件:103.67 Kbytes 页数:4 Pages

Mitsubishi

三菱电机

CM150DU-12H

Dual IGBTMOD 150 Amperes/600 Volts

文件:58.11 Kbytes 页数:4 Pages

POWEREX

CM150DU-12H

HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

● IC...................................................................150A ● VCES ..........................................................600V ● Insulated Type ● 2-elements in a pack APPLICATION UPS, NC machine, AC-Drive control, Servo, Welders

文件:51.77 Kbytes 页数:4 Pages

Mitsubishi

三菱电机

详细参数

  • 型号:

    CM150DU-12F

  • 功能描述:

    IGBT MOD DUAL 600V 150A F SER

  • RoHS:

  • 类别:

    半导体模块 >> IGBT

  • 系列:

    IGBTMOD™

  • 标准包装:

    10

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 类型:

    PT

  • 配置:

    单一 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大):

    600V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开):

    1.4V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大):

    430A 电流 -

  • 集电极截止(最大):

    100µA Vce

  • 时的输入电容(Cies):

    31nF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    1000W

  • 输入:

    标准 NTC

  • 热敏电阻:

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    SOT-227-4,miniBLOC

  • 供应商设备封装:

    SOT-227B

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更多CM150DU-12F供应商 更新时间2025-12-14 11:03:00