高压IGBT模块 (HVIGBT)

·基板：有Cu和AlSiC两种\n·额定电压：从1700V到6500V\n·额定电流：从200A到2400A\n·绝缘电压：从4.0kVrms到10.2kVrms \n·H系列：采用平板型IGBT硅片，其可靠性已得到业界公认\n·N系列：采用 CSTBTTM硅片，进一步降低损耗，缩小体积\n·N系列B型：采用 CSTBTTM硅片，封装与H系列兼容\n·R系列：封装尺寸与 H 系列兼容;额定电流提升到1500A；高短路鲁棒性设计；运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C；最小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。\n·续流二极管：软恢复特性，保证良好的EMI性能;

MITSUBISHI

三菱电机

Power Modules-HVIGBT Modules/HVIPM N series CM1200DB-34N

MITSUBISHI

三菱电机

Power Modules-HVIGBT Modules/HVIPM N series CM1200DC-34N

MITSUBISHI

三菱电机

Package：10-WFBGA，WLCSP；包装：卷带（TR） 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 3.3VWM 8VC 10WLCSP

ONSEMI

安森美半导体

Package：1206（3216 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：滤波器 共模扼流圈 描述：CMC 260MA 2LN 600 OHM SMD

Laird-Signal Integrity Products

Package：1206（3216 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：滤波器 共模扼流圈 描述：CMC 340MA 2LN 160 OHM SMD

Laird-Signal Integrity Products