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CLF1G0035S-50数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

厂商型号 |
CLF1G0035S-50 |
参数属性 | CLF1G0035S-50 封装/外壳为SOT-467B;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B |
功能描述 | Broadband RF power GaN HEMT |
封装外壳 | SOT-467B |
制造商 | Ampleon Ampleon USA Inc. |
中文名称 | 安谱隆 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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CLF1G0035S-50规格书详情
描述 Description
CLF1G0035-50 and CLF1G0035S-50 are broadband general purpose 50 W amplifiers with first generation GaN HEMT technology from Ampleon. Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz.
特性 Features
• Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz
• 50 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT
• Excellent ruggedness (VSWR 10 : 1)
• High voltage operation (50 V)
• Thermally enhanced package
应用 Application
• Commercial wireless infrastructure (Cellular, Wimax)
• Radar
• Broadband general purpose amplifier
• Public mobile radios
• Industrial, scientific, medical
• Jammers
• EMC testing
• Defense application
简介
CLF1G0035S-50属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的CLF1G0035S-50晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
:CLF1G0035S-50
- 生产厂家
:Ampleon
- GP (dB)
:11.5
- Die Technology
:GaN
- VDS (V)
:50.0
- ηD (%)
:54.0
- PL(1dB) (W)
:50.0
- PL(1dB) (dBm)
:47.0
- Test Signal
:1-Tone CW
- Fmin (MHz)
:0
- Fmax (MHz)
:3500
- Status
:Production
- Matching
:-
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