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CLF1G0035S-50数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF

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厂商型号

CLF1G0035S-50

参数属性

CLF1G0035S-50 封装/外壳为SOT-467B;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B

功能描述

Broadband RF power GaN HEMT
RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467B

封装外壳

SOT-467B

制造商

Ampleon Ampleon USA Inc.

中文名称

安谱隆

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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CLF1G0035S-50规格书详情

描述 Description

CLF1G0035-50 and CLF1G0035S-50 are broadband general purpose 50 W amplifiers with first generation GaN HEMT technology from Ampleon. Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz.

特性 Features

• Frequency of operation is from DC to 3.5 GHz
• 50 W general purpose broadband RF Power GaN HEMT
• Excellent ruggedness (VSWR 10 : 1)
• High voltage operation (50 V)
• Thermally enhanced package

应用 Application

• Commercial wireless infrastructure (Cellular, Wimax)
• Radar
• Broadband general purpose amplifier
• Public mobile radios
• Industrial, scientific, medical
• Jammers
• EMC testing
• Defense application

简介

CLF1G0035S-50属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的CLF1G0035S-50晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :CLF1G0035S-50

  • 生产厂家

    :Ampleon

  • GP (dB)

    :11.5

  • Die Technology

    :GaN

  • VDS (V)

    :50.0

  • ηD (%)

    :54.0

  • PL(1dB) (W)

    :50.0

  • PL(1dB) (dBm)

    :47.0

  • Test Signal

    :1-Tone CW

  • Fmin (MHz)

    :0

  • Fmax (MHz)

    :3500

  • Status

    :Production

  • Matching

    :-

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