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MRG5802	文件：149.16 Kbytes Page：2 Pages	MRG5802-Mil-SpecCoax,50Ohm,RG-58,20AWGStrTC,95TCBraid,PVCJkt,Commercial,Twin-coax ProductDescription Mil-SpecCoax,50Ohm,RG-58,20AWG(19x33)TinnedCopperConductor,PEInsulation,95TinnedCopperBraidShield,PVCJacket,Commercial, Twin-coax	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
NJL5802K	文件：180.67 Kbytes Page：5 Pages	DIGITALOUTPUTPHOTOREFLECTOR	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NJL5802K-F	文件：180.67 Kbytes Page：5 Pages	DIGITALOUTPUTPHOTOREFLECTOR	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
NTD5802N	文件：135.5 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,SingleN?묬hannel,101ADPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5802N	文件：130.24 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,SingleN?묬hannel,101ADPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5802N	文件：299.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=101A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.4mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD5802N	文件：107.56 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5802N	文件：1.32814 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
NTD5802NS	文件：1.57382 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel40V(D-S)MOSFET	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
NTE5802	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE

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详细参数

型号：
CLC5802IM
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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