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INA231AIYFFR	文件：1.02103 Mbytes Page：37 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCURRENT/POWERMONITORwith1.8-VI2CInterface	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA231AIYFFR	文件：1.27131 Mbytes Page：44 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWith1.8-VI2CInterface	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA231AIYFFR	文件：448.09 Kbytes Page：32 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCURRENT/POWERMONITORwith1.8-VI2C??Interface	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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INA231AIYFFT	文件：1.27589 Mbytes Page：44 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWith1.8-VI2CInterface	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA231AIYFFT	文件：1.02103 Mbytes Page：37 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCURRENT/POWERMONITORwith1.8-VI2CInterface	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA231AIYFFT	文件：1.27131 Mbytes Page：44 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWith1.8-VI2CInterface	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA231BIYFDR	文件：1.27589 Mbytes Page：44 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWith1.8-VI2CInterface	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
INA231BIYFDT	文件：1.27589 Mbytes Page：44 Pages	High-orLow-SideMeasurement,BidirectionalCurrentandPowerMonitorWith1.8-VI2CInterface	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
IQS231	文件：1.43264 Mbytes Page：37 Pages	SingleChannelCapacitiveProximity/TouchControllerforSARapplications	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
IQS231A	文件：1.45369 Mbytes Page：36 Pages	IntegratedSARuserinterfaceofferingasimpleGPIOoutput	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
IRF231	文件：155.57 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF231	文件：48.2 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF231	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF231	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF231	文件：212.01 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDS(on) •Improvedinductiveruggedness •Fsatswitchingtimes •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Lowinputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Standard)	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF231	文件：69.65 Kbytes Page：7 Pages	8.0Aand9.0A,150Vand200V,0.4and0.6Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
IRF231	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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