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CL21A106KAFN3NR	文件：300 bytes Page：1 Pages	陶瓷电容	Samsungsem 三星	Samsungsem
CL21A106KAFN3N	文件：167.4 Kbytes Page：1 Pages	Multi Layer Ceramic Capacitor 文件：167.4 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNGEM 三星	SAMSUNGEM
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CL21A106KAFN3NE	文件：617.84 Kbytes Page：9 Pages	3A, High Voltage Boost Converter 文件：617.84 Kbytes 页数：9 Pages	MGCHIP	MGCHIP

技术参数

长度：
2.00±0.10mm
宽度：
1.25±0.10mm
厚度：
1.25±0.10mm
温度特性：
X5R(-55 ~ +85)
容量：
10.0uF
静电容量允许公差：
±10%
额定电压：
25.0Vdc
生产状况：
Mass Production

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更多CL21A106KAFN3NR供应商更新时间2025-11-23 17:00:00

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