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CL10B105KO8NFND	文件：300 bytes Page：1 Pages	陶瓷电容	Samsungsem 三星	Samsungsem
CL10B105KO8NNN	文件：185.9 Kbytes Page：1 Pages	Multi-layer Ceramic Capacitor 文件：185.9 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNGEM 三星	SAMSUNGEM
CL10B105KO8NNNC	文件：443.08 Kbytes Page：9 Pages	11-Channel Level Shifter with Gate Voltage Shaping and Discharge Functions 文件：443.08 Kbytes 页数：9 Pages	MGCHIP	MGCHIP
CL10B105KO8NNW	文件：186.43 Kbytes Page：1 Pages	Multi-layer Ceramic Capacitor 文件：186.43 Kbytes 页数：1 Pages	SAMSUNGEM 三星	SAMSUNGEM

技术参数

长度：
1.60±0.10mm
宽度：
0.80±0.10mm
厚度：
0.80±0.10mm
温度特性：
X7R(-55 ~ +125)
容量：
1.0uF
静电容量允许公差：
±10%
额定电压：
16.0Vdc
生产状况：
Mass Production

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