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CP191V	文件：483.25 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorNPN-Amp/SwitchTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize16.5x16.5MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea3.5x4.3MILS EmitterBondingPadArea3.5x4.3MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-13,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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CP191V

文件：483.25 Kbytes

Page：2 Pages

SmallSignalTransistorNPN-Amp/SwitchTransistorChip

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize16.5x16.5MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea3.5x4.3MILS EmitterBondingPadArea3.5x4.3MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-13,000Å

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

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更多CL-191UR-XD-T供应商更新时间2025-7-24 14:31:00

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